LMG3422R030RQZT 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET
產品型號：LMG3422R030RQZT
產品品牌：TI/德州儀器
產品封裝：VQFN (RQZ)
產品功能：具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET
LMG3422R030RQZT 特性
●符合面向硬開關拓撲的 JEDEC JEP180 標準
●帶集成柵極驅動器的 600-V GaN-on-Si FET
集成高精度柵極偏置電壓
200V/ns CMTI
2.2MHz 開關頻率
30 V/ns 至 150 V/ns 壓擺率，用于優化開關性能和緩解 EMI
在 7.5V 至 18V 電源下工作
●強大的保護
響應時間少于 100 ns 的逐周期過流和鎖存短路保護
硬開關時可承受 720V 浪涌
針對內部過熱和 UVLO 監控的自我保護
●高級電源管理
數字溫度 PWM 輸出
理想二極管模式可減少 LMG3425R030 中的第三象限損耗
LMG3422R030RQZT 說明
LMG342xR030 GaN FET 具有集成式驅動器和保護功能，可讓設計人員在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。
LMG342xR030 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150 V/ns 的開關速度。與分立式硅柵極驅動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和超小的振鈴。可調柵極驅動強度允許將壓擺率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優化開關性能。 LMG3425R030 包含理想二極管模式，該模式通過啟用自適應死區時間控制功能來降低第三象限損耗。
高級電源管理功能包括數字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過熱、過流和 UVLO 監控。
封裝圖
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